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1 диэлектрическая подложка со слоем кремния
1) Engineering: silicon on insulated substrate2) Microelectronics: soi substrateУниверсальный русско-английский словарь > диэлектрическая подложка со слоем кремния
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2 КНД-подложка
Microelectronics: soi substrate -
3 подложка со структурой типа кремний на диэлектрике
Microelectronics: soi substrateУниверсальный русско-английский словарь > подложка со структурой типа кремний на диэлектрике
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4 КНД-структура
1) Engineering: insulated gate structure2) Electronics: silicon-on-insulated substrate structure3) Microelectronics: insulated substrate structure, silicon-insulator structure, silicon-on-insulator, silicon-on-insulator structure4) Makarov: insulated substrate structure (структура "кремний на диэлектрике"), silicon-on-insulator (SOI) (структура (типа) кремний на диэлектрике), silicon-on-insulator structure (структура "кремний на диэлектрике") -
5 КНД-структура
abbrmicroel. SOI-Struktur, Silicon-On-Insulated Substrate, Silicon-On-Insulator, Silizium-auf-Dielektrikum-Struktur -
6 структура кремний на диэлектрике
n1) electr. (типа) SOI-StrukturУниверсальный русско-немецкий словарь > структура кремний на диэлектрике
См. также в других словарях:
SOI MOSFET — In electronics, an SOI MOSFET semiconductor device is a Silicon on Insulator (SOI) MOSFET structure in which a semiconductor layer, e.g. silicon, germanium or the like, is formed above an insulator layer which may be a buried oxide (BOX) layer… … Wikipedia
Integrated circuit — Silicon chip redirects here. For the electronics magazine, see Silicon Chip. Integrated circuit from an EPROM memory microchip showing the memory blocks, the supporting circuitry and the fine silver wires which connect the integrated circuit die… … Wikipedia
Technologieknoten — Der Begriff Technologieknoten (englisch technology node) bezeichnet in der Halbleitertechnik einen Meilenstein für die Definition einer Herstellungsprozessgeneration und bezieht sich im Wesentlichen auf die kleinste fotolithografisch… … Deutsch Wikipedia
Multigate device — A multigate device or multiple gate field effect transistor(MuGFET) refers to a MOSFET which incorporates more than one gate into a single device. The multiple gates may be controlled by a single gate electrode, wherein the multiple gate surfaces … Wikipedia
Integrierter Schaltkreis — Integrierter Schaltkreis. Das Chip Gehäuse wurde geöffnet und ermöglicht den Blick auf den eigentlichen Halbleiter. Die erkennbaren Strukturen im Zentrum sind die realisierte elektronische Schaltung. Im Außenbereich sind die goldenen… … Deutsch Wikipedia
Latch-Up — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Latch-Up-Effekt — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Latch up — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Latchup — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Single Event Latchup — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Silicon on insulator — technology (SOI) refers to the use of a layered silicon insulator silicon substrate in place of conventional silicon substrates in semiconductor manufacturing, especially microelectronics, to reduce parasitic device capacitance and thereby… … Wikipedia
